3.2.2 替换金属栅工艺 (RMG / Gate-Last Process)

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3.2.2 替换金属栅工艺 (RMG / Gate-Last Process) 当栅极“换血”遇上阈值电压漂移：一个RMG工艺中功函数偏移失控的根因分析与闭环校准实践凌晨两点十七分，Fab 12洁净室监控大屏上，第47片12英寸晶圆的电性测试数据在阈值电压（$V{th}$）一栏突然跳出红色告警：NMOS $V{th}$ 偏移 +82 mV，PMOS $V{th}$ 偏移 −69 mV——双双超出规格限（$ \pm 35\,\text{mV} $）。这不是偶然波动。过去72小时内，同一工艺腔体（Chamber ID: RMG-ALPHA-08）连续三批晶圆均呈现相同趋势：NMOS阈值持续正向漂移，PMOS则反向加剧，且漂移量随批次线性增长。良率损失已达12.