3.2.3 功函数金属 (Work Function Metal) 的堆叠与阈值调节

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3.2.3 功函数金属 (Work Function Metal) 的堆叠与阈值调节功函数金属堆叠的“阈值漂移陷阱”：一个被低估的界面偶极层扰动问题与实测级解决方案凌晨两点十七分，Fab 12B 的工艺工程师老陈盯着电镜室传来的TEM截面图，手指无意识地敲击着桌面。晶圆上那片标为WFM-7A的nMOS器件，V th 在LPCVD TiN沉积后稳定在0.28 V；可一旦进入后续的ALD Al 2 O 3 栅介质钝化步骤，同一lot的V th 就系统性偏移至0.39 V——漂移+110 mV，超出了PDK规定的±50 mV容差窗口。良率报表上，该批次nFET逻辑单元的静态功耗（I off ）分布右尾陡然加厚，良率从99.2%跌至94.7%。