3.3.1 嵌入式外延生长 (SiGe/SiP Epitaxy)

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3.3.1 嵌入式外延生长 (SiGe/SiP Epitaxy) 嵌入式外延生长（SiGe/SiP Epitaxy）实战手记：当Ge组分梯度失控，我们如何用“动态前驱体切换窗口”在0.8nm厚度内驯服应变峰？凌晨2:17，Fab 12B的Epi-3000反应腔报警灯第三次亮起——不是温度异常，不是腔压漂移，而是XRD θ–2θ扫描图上，本该平滑上升的SiGe(004)衍射峰，在2θ = 69.1°处突然劈裂出一个0.012°的肩峰。它像一根细针，扎在工艺工程师的眼皮上。这不是第一次。过去三周，该批次12寸晶圆的pFET驱动电流（I on ）标准差从±1.8%飙升至±4.3%，良率卡在92.6%，而客户要求的交付门槛是95.5%。