7.1 FinFET 缩放的终点

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7.1 FinFET 缩放的终点第七章：FinFET 的极限与未来展望 7.1 FinFET 缩放的终点：当物理不再听从摩尔律令我们曾习惯于用“每两年晶体管数量翻倍”来丈量技术进步的刻度。这一朴素经验法则背后，是人类对硅基世界近乎虔诚的工程信仰——只要光刻更精细、掺杂更精准、栅极更薄，晶体管就能继续缩小，性能就能持续跃升。FinFET，作为平面MOSFET在22 nm节点上的历史性突围，曾被寄予厚望：它以三维鳍片结构重拾静电控制权，将短沟道效应（Short-Channel Effects, SCE）这头肆虐多年的猛兽重新关进笼中。然而，当台积电量产3 nm工艺、三星推进2 nm GAA（Gate-All-Around）试产、英特尔宣布其20A节点（等效1.