7.3.2 二维半导体材料 (2D Materials) 在极细鳍片中的潜力

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7.3.2 二维半导体材料 (2D Materials) 在极细鳍片中的潜力在半导体工艺的演进长河中，鳍式场效应晶体管（FinFET）曾如一道闪电劈开摩尔定律的阴云——它用三维立体结构驯服了短沟道效应，将器件缩放推进至14 nm、7 nm甚至5 nm节点。然而，当鳍片宽度逼近5 nm以下，传统体硅鳍片开始显露出它无法回避的“骨相”缺陷：量子限域导致载流子有效质量畸变、界面态密度陡增、鳍侧壁粗糙度对阈值电压（$V\text{th}$）波动的放大效应呈指数级攀升；更严峻的是，硅在亚3 nm厚度下已丧失本征半导体行为——其带隙坍缩、迁移率断崖式下跌、漏电流不可控地穿透整个鳍体。此时，我们不是在微调一个器件，而是在重构物理基础。