文档摘要

7.3 新材料的引入 7.3 新材料的引入：当硅基物理边界在原子尺度上发出低鸣 FinFET，这座由英特尔于2011年率先在22 nm节点竖立起的晶体管丰碑，曾以三面栅极对鳍片沟道的“围捕式静电控制”，一举驯服了平面MOSFET在20 nm以下所暴露出的短沟道效应狂潮。它不是一场颠覆，而是一次精密的工程救赎——在硅的本征疆域内，用几何重构延展物理寿命。 会员。《7.3 新材料的引入》收录于灏天文库文集《FinFET技术原理》，原作者/来源：灏天文库，整理自「灏天文库」，提供技术教程、实践指南与问题解决方案，支持在线阅读、全文检索与知识沉淀，助力开发者系统化学习。本站整理收录，版权归原作者/开源协议所有。

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作者与出处

原作者： 灏天文库

来源：灏天文库

原文： https://aiknowledge.cn/collection/810-finfet%E6%8A%80%E6%9C%AF%E5%8E%9F%E7%90%86

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