文档摘要

7.3.1 高迁移率沟道材料 (Ge, III-V 族) 在先进逻辑器件的演进长河中，硅基CMOS曾如磐石般稳固——它承载了摩尔定律五十年的奔涌浪潮，也悄然筑起了一道难以逾越的物理堤坝。当等效氧化层厚度（EOT）逼近0.5 nm，当沟道长度滑入3 nm节点以下，短沟道效应、隧穿电流、自热效应与迁移率退化不再是教科书里的抽象术语，而是流片现场反复失败的警报声。 会员。《7.3.1 高迁移率沟道材料 (Ge， III-V 族)》收录于灏天文库文集《FinFET技术原理》，提供技术教程、实践指南与问题解决方案，支持在线阅读、全文检索与知识沉淀，助力开发者系统化学习。文档编号57156。

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