6.1.2 采样失真与导通电阻补偿（传输门技术）
文档摘要
6.1.2 采样失真与导通电阻补偿（传输门技术） 在模拟信号链的采样前端设计中，有一类失真现象如同幽灵般潜伏于采样瞬间——它不声不响，却足以让16位ADC的ENOB骤降至12位以下；它不随温度线性漂移，却在输入信号摆幅变化时悄然放大；它不是噪声，却比热噪声更难滤除；它不是失调，却让整个采样值系统性偏移。这，就是由MOS传输门导通电阻 $ R{\text{on}} $ 非线性引发的采样失真（Sampling Distortion）。 会员。《6.1.2 采样失真与导通电阻补偿（传输门技术）》收录于灏天文库文集《CMOS模拟集成电路设计》，提供技术教程、实践指南与问题解决方案，支持在线阅读、全文检索与知识沉淀，助力开发者系统化学习。文档编号61250。
评论区
(0)
U