6.1.2 采样失真与导通电阻补偿（传输门技术）

文档摘要

6.1.2 采样失真与导通电阻补偿（传输门技术）在模拟信号链的采样前端设计中，有一类失真现象如同幽灵般潜伏于采样瞬间——它不声不响，却足以让16位ADC的ENOB骤降至12位以下；它不随温度线性漂移，却在输入信号摆幅变化时悄然放大；它不是噪声，却比热噪声更难滤除；它不是失调，却让整个采样值系统性偏移。这，就是由MOS传输门导通电阻 $ R{\text{on}} $ 非线性引发的采样失真（Sampling Distortion）。你是否曾调试过一个看似完美的开关电容采样保持电路，却发现当输入信号从0.2 V${\text{pp}}$ 扫到2 V${\text{pp}}$ 时，THD从–95 dB恶化至–78 dB？