8.2.3 电迁移（EM）与天线效应（Antenna Effect）

文档摘要

8.2.3 电迁移（EM）与天线效应（Antenna Effect）在芯片设计的深水区，可靠性从来不是一句空洞的承诺，而是一场与物理极限的精密博弈。当晶体管尺寸逼近3纳米，金属互连线宽度缩至20纳米以下，电流密度飙升至$10^7\,\text{A/cm}^2$量级——此时，电子不再是安静的信使，而成了狂暴的凿岩机；电荷也不再温顺地沿路径迁移，而会在电势梯度驱动下猛烈冲刷金属晶界。电迁移（Electromigration, EM）与天线效应（Antenna Effect），正是这场微观风暴中最具破坏力的两个“沉默杀手”。