1.2.2.2 阈值电压（Vth）的影响因素

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1.2.2.2 阈值电压（Vth）的影响因素 1.2.2.2 阈值电压（$V{\text{th}}$）的影响因素：一个晶圆级失效根因的逆向解剖与工艺窗口闭环优化实践凌晨两点十七分，Fab 8B 的在线测试机台警报再次亮起——某款用于车载OBC（车载充电机）主功率级的650 V Super Junction MOSFET，在WAT（Wafer Acceptance Test）阶段批量出现$V{\text{th}}$漂移：标称$3.8 \pm 0.3\,\text{V}$，实测分布为$3.1 \sim 4.6\,\text{V}$，CPK仅0.42。良率跌穿78%，客户产线已暂停投片。这不是仿真曲线里平滑的$V{\text{th}}$ vs $T$关系图；