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1.2.3.1 漏极引起的势垒降低（DIBL） 1.2.3.1 漏极引起的势垒降低（DIBL）：当沟道“听见”漏极在喊什么——一个FET工程师凌晨三点的硅片自白 凌晨2:47，晶圆厂FAB23洁净室B区，第17次流片的16nm FinFET测试数据刚从探针台吐出来。我盯着屏幕上那条微微上翘的$ I{DS} $–$ V{GS} $曲线——不是理想阶梯状的饱和区平台，而是一道带着倦意的、持续抬升的斜坡。 会员。《1.2.3.1 漏极引起的势垒降低（DIBL）》收录于灏天文库文集《VLSI超大规模集成电路设计》，提供技术教程、实践指南与问题解决方案，支持在线阅读、全文检索与知识沉淀，助力开发者系统化学习。文档编号62031。

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