文档摘要

1.3.3 现代工艺节点：从平面 CMOS 到 FinFET 及 GAAFET 在半导体制造的宏大叙事中，工艺节点从来不是冷冰冰的数字——它是一场持续数十年的物理极限突围战。当我们在2024年谈论3nm、2nm甚至1.4nm工艺时，真正支撑这些数字的，并非光刻机镜头的数值孔径，而是晶体管结构本身从二维平面到三维立体的范式跃迁。而这场跃迁的核心战场，就落在1.3. 会员。《1.3.3 现代工艺节点：从平面 CMOS 到 FinFET 及 GAAFET》收录于灏天文库文集《VLSI超大规模集成电路设计》，提供技术教程、实践指南与问题解决方案，支持在线阅读、全文检索与知识沉淀，助力开发者系统化学习。文档编号62037。

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