文档摘要

6.1.1 去离子水作为浸没介质的原理 在半导体光刻工艺的演进长河中，浸没式光刻（Immersion Lithography）不是一次温和的迭代，而是一场在物理极限边缘发起的精准爆破——它用一滴去离子水，在193 nm波长的ArF准分子激光与硅片之间，硬生生劈开了一条通往45 nm乃至32 nm节点的通路。当干式光刻在数值孔径（Numerical Aperture, NA）上撞上0. 会员。《6.1.1 去离子水作为浸没介质的原理》收录于灏天文库文集《光刻工艺学》，提供技术教程、实践指南与问题解决方案，支持在线阅读、全文检索与知识沉淀，助力开发者系统化学习。文档编号62409。

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