6.2.2 曝光-刻蚀-曝光-刻蚀（LELE）
文档摘要
6.2.2 曝光-刻蚀-曝光-刻蚀（LELE） 在先进制程节点——特别是7nm及以下——光刻分辨率逼近物理极限的今天，我们常被问及一个近乎哲学式的问题：当单次曝光再也无法分辨两个间距仅30nm的金属线时，芯片工程师究竟是在和光斗，还是在和波长斗？答案是：我们既不挑战麦克斯韦方程组，也不乞求光学奇迹；我们选择把一道难题拆成两道可解的题——这便是LELE（Litho-Etch-Litho-Etch）技术存在的根本逻辑。 会员。《6.2.2 曝光-刻蚀-曝光-刻蚀（LELE）》收录于灏天文库文集《光刻工艺学》，提供技术教程、实践指南与问题解决方案，支持在线阅读、全文检索与知识沉淀，助力开发者系统化学习。文档编号62413。
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