6.2.2 曝光-刻蚀-曝光-刻蚀（LELE）

文档摘要

6.2.2 曝光-刻蚀-曝光-刻蚀（LELE）在先进制程节点——特别是7nm及以下——光刻分辨率逼近物理极限的今天，我们常被问及一个近乎哲学式的问题：当单次曝光再也无法分辨两个间距仅30nm的金属线时，芯片工程师究竟是在和光斗，还是在和波长斗？答案是：我们既不挑战麦克斯韦方程组，也不乞求光学奇迹；我们选择把一道难题拆成两道可解的题——这便是LELE（Litho-Etch-Litho-Etch）技术存在的根本逻辑。它不是权宜之计，而是一套精密、可建模、可验证、可量产的空间分解工程范式。