文档摘要

6.2.1 自对齐双重/四重图形（SADP/SAQP） 在先进逻辑工艺节点（7nm及以下）的制造战场上，光刻分辨率早已撞上物理天花板——当波长为193nm的ArF浸没式光刻系统面对≤30nm的金属线距（pitch）需求时，瑞利判据 $ R = k1 \cdot \lambda / \mathrm{NA} $ 已不再是一条指导方针，而是一道不可逾越的红墙。此时，$k1$ 逼近理论极限0. 会员。《6.2.1 自对齐双重/四重图形（SADP/SAQP）》收录于灏天文库文集《光刻工艺学》，提供技术教程、实践指南与问题解决方案，支持在线阅读、全文检索与知识沉淀，助力开发者系统化学习。文档编号62412。

该文档为会员专享，请先登录或注册后再查看

登录 注册

---