6.4 下一代光刻探索

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6.4 下一代光刻探索第六章：先进光刻技术 6.4 下一代光刻探索：在衍射极限之外重构图案化范式当极紫外光（EUV）以13.5 nm波长叩开7 nm节点的大门，光刻工程师们并未松一口气——他们站在一座分水岭上：一边是物理定律划下的清晰边界，另一边是人类对微缩执念催生的全新路径。EUV虽已量产，却在3 nm以下遭遇多重“隐性天花板”：光源功率不足导致吞吐量受限；多层掩模反射率衰减引发对比度塌陷；随机效应（stochastic effects）在亚10 nm特征尺寸下不再是统计扰动，而成为决定线宽粗糙度（LWR）与缺陷密度的主宰力量。