1.1.3.3 简并与非简并半导体的物理差异

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1.1.3.3 简并与非简并半导体的物理差异 1.1.3.3 简并与非简并半导体的物理差异：一个被低估的“载流子热化陷阱”——从SiC MOSFET短路失效根因反推简并判据的工程校准方法你有没有遇到过这样的场景？一台标称650 V/100 A的SiC MOSFET模块，在双脉冲测试（DPT）中，当短路持续时间仅达2.3 μs时，器件就突发单管击穿——示波器上V DS 瞬间崩塌、I D 呈指数级跃升，但栅极驱动波形完好，结温传感器读数尚不足85 ℃。FA（失效分析）切片显示：沟道区无金属迁移，钝化层无针孔，欧姆接触无剥离——失效点精准落在JFET区下方约120 nm深的p-well/n-drift界面附近，EDX谱中该处碳元素异常富集，而硅、铝信号衰减。这不是热失控。这不是雪崩击穿。