文集文档索引

• 7.2 新型材料体系
• 7.2.1 二维材料（MoS2, 石墨烯）电子学
• 7.2.2 氧化物半导体（IGZO）物理
• 7.3 超越摩尔（More than Moore）
• 7.3.1 存算一体器件（RRAM, MRAM, PCM）
• 7.3.2 异质集成与晶圆级封装物理
• 6.2.2 物理表征：TEM/EELS（原子级结构与成分分析）
• 6.3 紧凑模型（Compact Modeling）
• 6.3.1 BSIM系列标准模型：连接物理与电路设计的桥梁
• 6.3.2 参数提取与工艺波动（Variation）建模
• 第七章：前沿演进与未来趋势
• 7.1 低功耗与新机制器件
• 7.1.1 隧穿场效应晶体管（TFET）：突破SS极限
• 7.1.2 铁电场效应晶体管（FeFET）与负电容理论
• 5.3.3 光电探测器：响应度与暗电流控制
• 第六章：半导体物理表征、模拟与生态系统
• 6.1 器件仿真（TCAD）技术
• 6.1.1 漂移-扩散模型与流体力学模型
• 6.1.2 网格划分与数值收敛性物理意义
• 6.2 关键表征技术
• 6.2.1 电学表征：Hall效应、DLTS（深能级瞬态谱）
• 5.1.3 量子限制效应在先进节点中的体现
• 5.2 功率半导体器件
• 5.2.1 功率MOSFET与超结（Super Junction）理论
• 5.2.2 绝缘栅双极晶体管（IGBT）物理机制
• 5.2.3 宽禁带半导体（SiC, GaN）物理优势与挑战
• 5.3 光电半导体器件
• 5.3.1 太阳能电池：光生伏特效应与量子效率
• 5.3.2 发光二极管（LED）与激光二极管（LD）物理
• 4.3 短沟道效应（SCE）与可靠性
• 4.3.1 漏极引起的势垒降低（DIBL）
• 4.3.2 载流子速度饱和与沟道长度调制
• 4.3.3 热载流子注入（HCI）与偏置温度不稳定性（BTI）
• 第五章：现代先进器件架构
• 5.1 从平面到三维：FinFET 与 GAA
• 5.1.1 多栅极结构对静电控制能力的提升
• 5.1.2 纳米片（Nanosheet）与全包围栅极（GAA）物理
• 4.1 MOS电容物理
• 4.1.1 表面空间电荷区：积累、耗尽、反型
• 4.1.2 阈值电压（$V_{th}$）的物理推导与调控
• 4.1.3 C-V 特性分析（高频与低频曲线）
• 4.2 MOSFET 器件理论
• 4.2.1 线性区与饱和区电流方程
• 4.2.2 亚阈值摆幅（Subthreshold Swing, SS）与泄漏电流
• 4.2.3 沟道迁移率退化机制
• 3.1.1 载流子输运过程剖析（注入、输运、收集）
• 3.1.2 电流增益（$\alpha$ 和 $\beta$）的物理决定因素
• 3.1.3 埃伯斯-莫尔（Ebers-Moll）模型
• 3.2 非理想效应与频率特性
• 3.2.1 基区宽度调制效应（Early效应）
• 3.2.2 基区电导调制与柯克（Kirk）效应
• 3.2.3 截止频率（$f_T$）与最高振荡频率（$f_{max}$）
• 第四章：MOS场效应晶体管（MOSFET）核心物理
• 2.2.1.2 镜像力降低效应（Schottky Barrier Lowering）
• 2.2.2 欧姆接触（Ohmic Contact）
• 2.2.2.1 隧道效应与高掺杂机制
• 2.2.3 半导体异质结
• 2.2.3.1 能带偏移（Band Offset）与安德森模型
• 2.2.3.2 二维电子气（2DEG）的形成原理
• 第三章：双极结型晶体管（BJT）物理