7.1.1 隧穿场效应晶体管（TFET）：突破SS极限

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7.1.1 隧穿场效应晶体管（TFET）：突破SS极限在半导体器件物理的漫长征途上，有一道看不见却无比坚硬的“玻璃天花板”——亚阈值摆幅（Subthreshold Swing, SS）极限。它不是由工艺误差或设计疏忽造成的，而是根植于热力学基本定律：室温下，每十倍电流变化所需的栅压增量，理论下限为 $60\,\text{mV/dec}$。这个数字来自玻尔兹曼统计对载流子跨势垒热激发过程的约束：$SS{\min} = \frac{kB T}{q} \ln(10) \approx 60\,\text{mV/dec}$（$kB$ 为玻尔兹曼常数，$q$ 为电子电荷，$T=300\,\text{K}$）。