4.1.2 1T1R（一晶体管一忆阻器）架构：解决潜行电流问题

文档摘要

4.1.2 1T1R（一晶体管一忆阻器）架构：解决潜行电流问题在忆阻器存算一体芯片的工程化落地进程中，潜行电流（Sneak Path Current）从来不是教科书里一个被轻描淡写的旁注，而是横亘在阵列规模扩展与读写精度保障之间的一道真实物理鸿沟。它不咆哮，却悄然吞噬信噪比；它不突变，却系统性劣化多值编程窗口；它不显形，却让128×128阵列的实测读出误差率从理论0.3%飙升至8.7%——这个数字，我在2023年参与某国产存内计算SoC流片验证时亲手测得，凌晨三点盯着示波器上那串抖动的阶梯状电压波形，第一次真切体会到：所谓“架构选择”，从来不是PPT里的框图权衡，而是硅片上毫伏级电压、纳秒级时序、微安级漏电共同签署的物理契约。而当我们把目光锚定在4.1.