5.3.2 敏感度分析与蒙特卡洛仿真对比

文档摘要

5.3.2 敏感度分析与蒙特卡洛仿真对比在芯片设计迈向3纳米及以下工艺节点的今天，静态时序分析（STA）早已不是那个只需代入单一最坏/最好工艺角、跑一遍线性延迟模型就能交付签核的“确定性工具”。当晶体管阈值电压（$V{th}$）的标准差逼近$15\,\text{mV}$，互连线电阻涨落超过$12\%$，且片上温度梯度导致局部$T{junc}$波动达$8^\circ\text{C}$以上时——我们面对的已不是一个“点”，而是一片概率云。这片云里，每一条路径的到达时间不再是一个数字，而是一个分布：$\mathcal{T}{\text{path}} \sim \mathcal{N}(\mut, \sigmat^2)$。统计静态时序分析（SSTA）正是为刻画这片云而生的技术范式。