8.3.1 三维集成电路（3DIC）与Chiplet设计工具

文档摘要

8.3.1 三维集成电路（3DIC）与Chiplet设计工具在后摩尔时代，晶体管微缩的物理极限正以一种近乎悲壮的方式宣告着传统单片SoC设计范式的黄昏。当台积电3nm工艺良率仍在爬坡、2nm节点遭遇原子级栅极控制难题、1nm已逼近硅晶格常数（0.543 nm）的硬边界时，工程师们没有选择仰望星空般等待新材料突破，而是俯身拆解芯片——将一块“巨无霸”SoC，肢解为若干功能明确、工艺适配、可复用、可异构集成的Chiplet；再通过硅中介层（Silicon Interposer）、混合键合（Hybrid Bonding）或微凸点（Microbump）技术，在Z轴上堆叠起三维集成电路（3DIC）。