1.3.3 与传统三五族（III-V）半导体技术的对比分析

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1.3.3 与传统三五族（III-V）半导体技术的对比分析在半导体技术演进的长河中，III-V族化合物半导体——砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、氮化镓（GaN）——曾长期扮演着高频、高功率、光电子领域的“性能天花板”角色。它们凭借直接带隙、高电子迁移率、可调谐带隙宽度与优异的光电耦合特性，在5G基站功放、激光雷达发射器、高速光模块TIA/DRV芯片中构筑起难以逾越的技术护城河。