2.1.2 绝缘体上硅（SOI）的折射率高衬度特性（Index Contrast）

文档摘要

2.1.2 绝缘体上硅（SOI）的折射率高衬度特性（Index Contrast）在光子集成电路（PIC）的演进长河中，SOI——绝缘体上硅——早已不是一张新面孔。它像一位沉稳而锋利的匠人，左手握着单晶硅的高载流子迁移率与成熟CMOS工艺兼容性，右手托起埋氧层（SiO₂）带来的强光学限制能力。但真正让SOI从“可用”跃升为“不可替代”的，并非其材料纯度或晶格完整性，而是那组看似朴素却暗藏雷霆的折射率数值：$n{\text{Si}} \approx 3.48$（在1550 nm通信波段），$n{\text{SiO}2} \approx 1.44$，$n{\text{air}} = 1.00$。三者之间横亘着高达$\Delta n \approx 2.