2.2.3 偏振特性：偏振相关损耗（PDL）与偏振旋转控制

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2.2.3 偏振特性：偏振相关损耗（PDL）与偏振旋转控制在硅基光子集成电路（SiPh）的世界里，偏振从来不是个“可选项”——它是个不容回避的物理现实。当你把一束光耦合进一根横截面仅220 nm × 450 nm的SOI（Silicon-on-Insulator）条形波导时，你面对的并非一个理想的标量场；而是一个被硅晶体各向异性、界面粗糙度、刻蚀侧壁倾角、顶层氧化层应力、甚至封装引线键合产生的微米级机械形变所反复调制的矢量电磁场系统。偏振相关损耗（Polarization Dependent Loss, PDL）与偏振旋转控制（Polarization Rotation Control），这两个看似抽象的术语，在流片回来的第一轮测试中，往往以“TE模插损1.8 dB，TM模却飙到4.