4.1 CMOS兼容制造流程

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4.1 CMOS兼容制造流程 4.1 CMOS兼容制造流程：硅光子产业化的底层契约与精密协奏在硅光子技术的宏大图景中，若将光子集成电路（PIC）比作一座摩天大楼，那么第4章“制造工艺与集成封装”便是其地基、钢筋与管线系统——它不直接定义建筑的功能形态，却从根本上决定其能否矗立、承重、散热、互联，乃至百年不朽。而本节所聚焦的“CMOS兼容制造流程”，正是这座大厦与全球半导体工业文明之间最深刻、最务实、也最具战略张力的一纸契约。它不是简单的工艺复用，而是一场跨越物理尺度、材料逻辑与制造范式的精密协奏：一边是电子器件对载流子迁移率、阈值电压与短沟道效应的严苛诉求；另一边是光波导对折射率对比度、侧壁粗糙度、界面散射与传播损耗的毫微之辨。二者共生于同一片硅片之上，却遵循着迥异的物理律令。