本节摘要:噪声分析回答"输出端的底噪有多大、每个元件各贡献几成"。.NOISE 语句在交流分析的骨架上叠加噪声计算,输出以每根号赫兹为单位的频谱密度。本节先手算热噪声建立基准,再跑一个完整分析,最后讨论低噪声设计里最重要的结论——第一级决定一切。
电路里的噪声有三种本征来源。热噪声:任何电阻都因载流子热运动产生噪声,电压噪声谱密度为四千特乘温度乘阻值,单位平方伏每赫兹,与外加偏置无关。散粒噪声:电流跨过 PN 结时载流子的离散性造成,谱密度为二倍电子电荷乘电流。闪烁噪声:与工艺相关的低频噪声,谱密度正比于一除频率,因此也叫一 over f 噪声——频率越低越凶。
热噪声有个值得背下来的基准数:一千欧电阻在室温下产生每根号赫兹约四纳伏的电压噪声。算一遍:四乘一点三八乘十的负二十三乘三百乘一千,得一点六六乘十的负十七平方伏每赫兹,开根号约四点一纳伏。这个数字是低噪声设计的"海平面":信号源内阻已经决定了底噪下限,电路能做的只是不要在这之上添乱。
噪声分析的语法像 .AC 加了两个参数:输出节点与输入基准源。
* 运放前级的噪声分析 VIN in 0 AC 1 RS in ng 1k X1 ng 0 out OPAMP1 RL out 0 10k .NOISE V(out) VIN DEC 10 10 100MEG .PRINT NOISE ONOISE INOISE .END
.NOISE 行读作:考察 out 节点的噪声,折算到 VIN 端,按每十倍频十个点从十赫兹扫到一百兆赫。输出有两套频谱:ONOISE 是输出端的噪声密度(伏每根号赫兹),INOISE 是等效输入噪声——把输出噪声除以增益折回输入端,方便与信号源直接比较。噪声读数像增益一样是频率的函数,看两条曲线的形状比看单点更重要。
仿真读数与手算对账:信号源内阻一千欧贡献每根号赫兹四点一纳伏;宏模型是理想无噪的(这一点要记住——自搓的行为级模型不产生噪声,噪声分析必须依赖带噪声模型的器件),所以低频段 INOISE 读数应贴着四点一纳伏走,几百赫兹以下被闪烁噪声抬升,高频段随带宽滚降。若读数明显偏高,嫌疑名单按序是:源阻偏大、第一级偏置电流过小放大了一 over f、反馈电阻过大。

数据手册与仿真报告最终要给的是一个总噪声数(均方根伏特),把密度对带宽积分再开根号。热噪声平台的积分很友好:密度乘根号带宽,四点一纳伏乘根号一兆赫,约四点一微伏均方根。闪烁噪声段的积分要用对数处理,工程上有个实用近似:转折频率以下的一 over f 段折算到总噪声时,贡献等于"转折频率除以十赫兹再取对数"的修正项——转折频率越高,低频段的比重越大。带宽每扩大十倍,热噪声贡献只涨约三点二倍(根号十),这就是为什么窄带滤波是降噪的第一手段:把带宽从一兆赫压到一千赫,底噪直接缩到原来的三十分之一。
级联系统的噪声有个著名的分配规律:总等效输入噪声以第一级为主,后面每级贡献要除以之前所有级的增益。推导是两行的事——第二级的噪声折回输入要除以第一级增益,增益几十倍之后第二级贡献就成了零头。结论在工程上极其有用:低噪声系统的预算几乎全部花在第一级——第一级用低噪声管、偏置电流往大取(压低一 over f 与热噪声的折中)、源阻抗匹配到位;后级用普通器件、专注放大功能即可。仿真验证同样如此:把后级元件换成理想模型重跑 .NOISE,读数几乎不动,就证明你的第一级设计已经吃掉了全部预算。
⚠️ 用宏模型跑噪声分析是常见陷阱:本节自搓的宏模型、许多厂商简化模型不带噪声数据,读数会"漂亮"得可疑。噪声分析必须使用明确声明含噪声参数的器件模型,跑之前先抽查模型卡里有没有闪烁噪声系数这类字段。
噪声是电路"自己产生的多余信号",失真则是电路"把好信号弄歪"。下一节量化这个"歪"。
偏置电流流过 PN 结时它就在,但只有信号源阻抗低、电流大的场合它才浮出水面。经验判断:把散粒噪声折算到源阻抗上,与热噪声平台比较——二倍电子电荷乘电流再乘源阻抗,与四千特乘源阻抗比大小。光电二极管前端这类"低阻抗大电流"场景里,散粒噪声常常是主导项;普通高阻电压放大场景,热噪声才是主角。
宽频热噪声段对到两三成内算良好;一 over f 段的偏差大得多,因为闪烁噪声参数的工艺散布本身很大。对不上时的排查次序:确认实测带宽与仿真积分带宽一致、源阻抗口径一致、测量仪器的本底噪声已知。噪声测量是电子测量里最考验细节的门类,仿真与实测能对上七八成,就足以支撑设计决策。
对信号链的总量答案是否定的:反馈把信号与噪声一起卷进去,输出端信噪比基本不变,折回输入端的等效噪声也不变。反馈真正能做的,是让噪声贡献的分配比例向设计希望的方向倾斜——比如串联反馈把输入级噪声压低、输出级噪声占比抬升。把"反馈降噪"当口号,与把"反馈增稳定"混为一谈,是低噪声设计里最常见的概念混淆。
因为源阻抗与第一级器件的噪声匹配决定了系统下限。源阻抗低,热噪声小但最佳偏置电流向大电流方向移;源阻抗高,热噪声抬升,最佳偏置向小电流移。这组权衡没有普适答案,只有针对具体源阻抗的最优点。仿真流程也应从源阻抗开始:先把源阻抗与它的热噪声画进网表,再逐级叠加器件噪声,看谁在抬高曲线——顺序反了就会在后级浪费时间。
因为噪声幅度是随机量,独立的随机电压不能直接相加,能相加的是功率,也就是幅度的平方。所以谱密度以平方量纲累积,汇报时再开根号回到电压量纲——根号赫兹这个怪单位就是这么来的。带宽翻四倍,总噪声才翻一倍,这个平方根规律是所有窄带化降噪技巧的数学根基,也是"多路并联电阻降噪效果有限"的原因。