4.1.1 湿法化学刻蚀：各向同性与各向异性（KOH, TMAH）

文档摘要

4.1.1 湿法化学刻蚀：各向同性与各向异性（KOH, TMAH）在硅基微系统的世界里，刻蚀从来不是一场粗暴的“削除”，而是一场精密的“对话”——硅晶格与化学试剂之间，以原子为单位展开的协商、试探、选择与退让。当你把一片抛光如镜的（100）单晶硅浸入沸腾的氢氧化钾（KOH）溶液中，表面看似静默，实则正发生着一场高度有序的晶体学博弈：某些晶面被疾速剥离，某些晶面却岿然不动；刻蚀前沿并非平直推进，而是悄然演化成棱角分明的V形槽、光滑倾斜的斜壁，甚至自对准的悬臂梁根部轮廓。这种“有方向的溶解”，正是体微加工的灵魂所在——它不靠掩模硬挡，而靠硅自身晶体结构的内在不对称性来引导刻蚀路径。