文档摘要

7.2.1 宽禁带半导体（GaN/SiC）高dv/dt下的EMI挑战 在功率电子的疆域里，宽禁带半导体正以一种近乎“暴力”的方式重塑设计范式——GaN器件开关时间可压缩至1 ns量级，SiC MOSFET在650 V/1200 V平台下实现 \text{设定值}$，立即向驱动IC（如TI UCC5870-Q1）的DESAT引脚注入一个脉冲，触发软关断。 但难点在于：如何生成精准的$V{th}(t)$？ 会员。《7.2.1 宽禁带半导体（GaN/SiC）高dv/dt下的EMI挑战》收录于灏天文库文集《PCB电磁兼容设计》，提供技术教程、实践指南与问题解决方案，支持在线阅读、全文检索与知识沉淀，助力开发者系统化学习。文档编号51252。

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