3.4.2.1 多层结构对准标记

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3.4.2.1 多层结构对准标记 3.4.2.1 多层结构对准标记：当光刻机“认不出自己画的记号”时，我们不是重画——而是教它重新理解阴影的语法凌晨两点十七分，Fab 12B 的 ASML NXT:2050i 正在执行第 17 批次的 Gate-last FinFET 工艺。晶圆刚完成 ALD Al₂O₃ 栅介质沉积，进入光刻对准环节。OPC 软件报出警告：；紧接着，套刻误差（Overlay Error）散点图上，X 方向标准差突然跳升至 ±3.2 nm——远超工艺窗口允许的 ±1.8 nm。产线暂停。良率看板上的红色数字开始缓慢爬升：。这不是设备故障，不是光刻胶涂布不均，也不是掩模版脏污。这是对准标记（Alignment Mark）在第三层（ILD-1）上“失语”了。