3.1.1 侧壁辅助双重图形化 (SADP) 与四重图形化 (SAQP)

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3.1.1 侧壁辅助双重图形化 (SADP) 与四重图形化 (SAQP) 侧壁辅助图形化工艺的“呼吸点”：SAQP中Litho-Etch-Litho-Etch序列里第二道光刻对准误差的实时补偿策略——一位FinFET工程师在28nm节点攻坚时的现场手记凌晨三点十七分，Fab 12洁净室B区第七光刻机台（ASML NXT:1980Di）报警灯第三次亮起。不是常规的机械臂卡顿，也不是晶圆传输超时——而是Overlay Metrology系统报出一个刺眼的数字：X方向偏移3.2nm，Y方向偏移2.8nm，3σ标准差突破1.6nm。这不是某一批次的偶发漂移；这是连续三炉（lot）24片晶圆中，第二道光刻（L2）相对于第一道硬掩模（SADP形成的SiN侧壁）的套刻误差持续恶化。