3.3.3 自对准接触孔 (SAC) 工艺


文档摘要

3.3.3 自对准接触孔 (SAC) 工艺 当刻蚀停在硅沟道上:SAC工艺中TiN硬掩模厚度失控引发的接触电阻灾难——一位Fab工程师的72小时故障复盘实录 凌晨三点十七分,Fab 12B黄光区B-308机台报警灯无声闪烁,像一颗被掐灭的星。 我放下保温杯里早已凉透的枸杞菊花茶,快步穿过气闸门。不是设备宕机,不是光刻偏移,而是晶圆上那一片本该金光灿灿的源漏接触孔(Contact),在SEM图像里呈现出诡异的“灰斑”——不是完全开孔,也不是彻底闭塞,而是一种介于两者之间的、半通不通的毛玻璃状形貌。 良率报表上,NMOS器件的$R\text{contact}$均值从$12.4\ \Omega\cdot\mu\text{m}$骤升至$41.


发布者: 作者: 转发
评论区 (0)
U