文档摘要

8.2 可靠性：十年以后芯片还好吗 本节摘要：可靠性设计管的是"刚流片好"与"十年后还活着"的差距。两大物理红线对照：电迁移（大电流把金属原子搬家，线阻涨到断路，靠电流密度上限算线宽与通孔数）、击穿（栅氧经时击穿与热载流子退化把阈值漂移，靠电压降额与保护电路）。再加上三件混合信号事故源：天线效应、闩锁、ESD。本节给出每项的机制、设计规则量级与防护套路。 上一节管"做得准"，本节管"活得久"。 会员。《8.2 可靠性设计：电迁移与击穿的对照》收录于灏天文库文集《CMOS模拟集成电路设计》，原作者/来源：灏天文库，整理自「灏天文库」，提供技术教程、实践指南与问题解决方案，支持在线阅读、全文检索与知识沉淀，助力开发者系统化学习。本站整理收录，版权归原作者/开源协议所有。

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作者与出处

原作者： 灏天文库

来源：灏天文库

原文： https://aiknowledge.cn/collection/846-cmos%E6%A8%A1%E6%8B%9F%E9%9B%86%E6%88%90%E7%94%B5%E8%B7%AF%E8%AE%BE%E8%AE%A1

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