1.1.1 从 SSI 到 ULSI 的技术跨越

文档摘要

1.1.1 从 SSI 到 ULSI 的技术跨越集成电路的演进，从来不是一条平滑上升的曲线，而是一场在原子尺度上持续搏斗的精密工程史诗。当我们站在2024年的节点回望——7纳米工艺已量产于高性能计算芯片，3纳米鳍式场效应晶体管（FinFET）进入移动SoC主力代工序列，台积电甚至在2纳米节点上启用了全环绕栅极（GAA）结构的纳米片晶体管（Nanosheet FET）——我们很容易忽略一个根本性事实：所有这些令人眩目的先进节点，其底层逻辑门的物理实现方式，与1961年德州仪器推出的首颗商用SSI芯片（SN518，含4个双输入与非门）本质上并无二致：它们都在用半导体材料调控电子流，以布尔代数为语法，构建确定性的开关行为。