1.1.2 摩尔定律及其物理极限（More Moore）

文档摘要

1.1.2 摩尔定律及其物理极限（More Moore）在集成电路设计的浩瀚星图中，摩尔定律从来不是一纸预言，而是一把刻刀——它以硅基材料为砧板，以光刻工艺为刃口，年复一年地雕琢着晶体管的尺寸、密度与功耗边界。当我们站在2024年的节点回望，“More Moore”已不再是一个乐观的愿景，而是一场在物理悬崖边进行的精密平衡术：一边是晶体管栅长逼近原子尺度的量子隧穿风暴，另一边是互连电阻指数攀升带来的RC延迟黑洞；一边是EUV光刻机中13.5 nm波长光子在多层膜反射镜间千次弹跳后的能量衰减，另一边是FinFET鳍片高度压缩至8 nm后载流子输运的统计涨落。这不是理论推演的终点，而是工程实现的起点——真正的挑战，从来不在“是否还能继续”，而在“如何让下一个0.7×缩放真正落地”。