3.2.2 化学放大光刻胶（CAR）原理
文档摘要
3.2.2 化学放大光刻胶（CAR）原理 在半导体先进制程的微缩征途上，光刻早已不是单纯“光打胶、显影成图”的物理过程——它是一场精密编排的分子级化学交响。当波长从g线（436 nm）一路压缩至EUV（13.5 nm），光学系统逼近衍射极限，光子能量愈发稀薄；此时，若仍依赖传统正性胶中光直接断裂聚合物主链的“单光子-单反应”模式，信噪比将崩塌，线宽粗糙度（LWR）失控，工艺窗口窄如刀锋。正是在此生死关口，化学放大光刻胶（Chemically Amplified Resist, CAR）横空出世，以“一个光子→一个酸分子→数千次催化循环→宏观溶解性突变”的指数级信号放大逻辑，重构了光刻的化学底层。它不是对旧范式的修补，而是一次彻底的范式迁移：光不再直接雕刻，而是点燃引信；
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