2.2 离轴照明:把光的方向变成设计变量


2.2 离轴照明:把光的方向变成设计变量

2.1 节把 k₁ 定位成唯一还有油水的旋钮,本节讲第一口油:改照明的方向分布。它不动波长、不动镜头、不换胶,只在光源的形状上做文章,是性价比最高的一招——因此也是现代光刻机出厂即配、工艺师每天在调的参数。

问题:零级光在浪费孔径

垂直照明下,密集线条的成像靠零级与 ±1 级衍射光在像面干涉。零级光方向不变、最亮,却几乎不携带线条的周期信息;真正编码"线条多密、边缘在哪"的是 ±1 级。麻烦在于:零级沿光轴直进孔径中心,±1 级斜着分列两侧。图形够密时,±1 级衍射角逼近孔径边缘——孔径中心被信息量很少的零级占着,边缘的 ±1 级却可能一只脚在外。孔径用得很不划算。

解法:把照明偏过去

让光斜着入射,衍射图整体平移:斜入射角为 φ 时,第 m 级衍射的出射角满足 sinθm = sinφ + mλ/p。把 sinφ 取成 λ/2p,奇妙的事发生了:零级偏向孔径一侧,+1 级恰好移到孔径中心,-1 级在对称位置——三束光整体"挪"进了孔径,原来容易被截掉的 ±1 级稳稳落进收集范围。孔径没变大,分辨率极限没变,但特定周期的干涉对比度大幅上升,影像对 dose 和焦距的容忍度随之变宽。这就是离轴照明(OAI)的全部原理,一句话:用照明方向为关键空间频率腾出跑道。

图:轴上照明与离轴照明的孔径利用对比

图:轴上照明与离轴照明的孔径利用对比

照明瞳的形状菜单

工业照明器用光瞳滤波片把光源剪成各种形状,常用四种各有所长:

形状 样子 擅长 代价
常规大 σ 圆盘 任意图形,通用 密集线对比度平庸
环形 圆环 通用密集图形,全方向 牺牲零频,孤立线受损
四极 Quadrupole 四个象限圆斑 x、y 两个正交方向的光栅 斜 45 度图形变差
偶极 Dipole 对置双圆斑 单方向密集线,极限对比度 只剩一个方向,需图形拆分

选型逻辑是"图形越规则,照明越敢偏科"。存储器的线条单方向、高重复,用强偶极如鱼得水;逻辑电路方向杂乱,只能用环形或四极折中,或者把方向冲突的图形在设计阶段拆到不同掩模——这个决定把光刻的选择压力传导到了设计端,是第 9 章 DFM 话题的伏笔。

光源形状是怎么实现的

现代光刻机的照明系统用两道"整形"把光源变成想要的瞳形。第一道在光源侧:准分子激光发出的光先经光束整形元件均匀化,再经复眼透镜(蝇眼透镜阵列)或衍射光学元件把光重新分配,在光瞳面上叠加出目标强度分布。第二道在掩模侧之前:可换的光瞳滤波片(环形片、四极片、可编程衍射元件)负责精确的形状与偏轴量。新机型还支持可编程照明——用微镜阵列逐点控制瞳面强度,等于把照明瞳变成一个可下载的"文件"而不是固定的金属片。这对 7 章的 SMO 意义重大:优化算法输出的不再是"选几号偏振片",而是任意连续分布的瞳面强度。设备形态的演进方向,永远是让 2.1 节那行公式里的每个系数都变成软件可调的量。

σ 与离轴参数是一套联合旋钮

2.1 节的 σ 描述照明瞳的大小,本节的偏轴量与形状描述它的位置与轮廓,两者共同决定"哪些空间频率被高效成像"。工程上把这套参数打包成照明条件(illumination condition),随工艺层一并设定:栅极层常用强偏轴,通孔层常用环形加小 σ。参数怎么选不再靠猜——第 7 章的源掩模联合优化会让算法在数万个组合里搜最优。

验证性的小计算

# 斜入射下各级衍射落在光瞳的归一化位置 lam, p, NA = 193e-9, 80e-9, 1.35 # 浸没式密集线 import math def pupil_pos(sin_illum, m): return (sin_illum + m * lam / p) / NA # 光瞳归一化半径 ±1 以内为可收集 axis = [pupil_pos(0.0, m) for m in (-1, 0, 1)] dipole = [pupil_pos(0.5 * lam / p, m) for m in (-1, 0, 1)] print("轴上照明各级位置:", [f"{v:.2f}" for v in axis]) print("离轴照明各级位置:", [f"{v:.2f}" for v in dipole]) # 轴上:+1 级在 0.71 尚可,更密则出界;离轴:+1 级移到 0.36,余量充足

位置值超过 1.0 的级次被孔径截掉。把 p 改小再跑一遍,你会看到轴上照明先"死"——这正是离轴照明在高密集图形上无处不在的原因。

照明瞳形状背后的版图博弈

照明选型在工厂里不是纯技术决策,它牵动设计端与产能。偶极照明对单方向密集线的窗口增益可以翻倍,但它把"另一方向的图形印不好"写进了物理——设计端要么把同一层的所有图形摆成同一方向(存储器做得到,逻辑做不到),要么把方向冲突的图形拆到两张掩模、两次曝光。多一次曝光,就多一份套刻误差、一份掩模成本、一段机台时间。于是一个奇怪但合理的现象出现了:逻辑厂经常"不敢"用最强的照明,因为拆层的代价超过了照明收益。这就是所谓"源-图形协同优化"(第 7 章 SMO)要解决的问题:与其事后迁就,不如在设计规则制定阶段就把照明能力写进去。

从照明到光刻胶的传递链

离轴照明改善的是像面光强分布的对比度与斜率,但最终起作用的是胶里形成的化学浓度梯度。同样一条边缘光强斜率,在对比度高的胶里能变成陡直的侧壁,在老化的胶里可能什么都不剩。所以照明调优从来与胶的状态绑定:新胶上线先跑一版照明矩阵实验(所谓 focus-exposure matrix,第 7 章展开),把每个候选照明下的窗口画出来再定标。工厂里叫"照明qualification",一次通常要烧掉几百片晶圆。理解了这条传递链,你就明白为什么照明参数轻易不动——动一次的验证成本,可能抵得上几个月的收益。

与胶阈值的双向配合

离轴照明把边缘斜率做陡之后,胶侧要接得住:阈值切在斜率最陡的位置,线宽对 dose 的敏感度最小。工厂的做法是配合照明选型重标定胶的"等效阈值",让 dose-to-size 落在曝光能量窗口的中央而不是边缘。这是一件容易被忽略的小事:照明、掩模、胶三者的参数在产线上从来不是各自独立的设定值,而是一组共同标定的常数——换任何一个,另外两个都要重新对表。很多新工程师调不好线宽,问题不在单项参数,而在这组常数没有一起动。

本节要点回顾

  • 零级不带周期信息,离轴照明的本质是把孔径预算从零级挪给 ±1 级。
  • 偏轴量取 λ/2p 附近时 +1 级居中,密集线对比度与焦深同时受益。
  • 照明瞳形状按版图选:偶极最强但单方向,环形通用,四极折中。
  • 离轴不改变瑞利极限,改的是特定图形的对比度与窗口——k₁ 被定向压小。
  • 照明条件与图形方向强耦合,其冲突外溢给设计与第 7 章的优化算法。

光的方向用完了,下一招更深:光还有相位。让相邻透光区域的相位相反,暗条纹会更黑——这就是相移掩模。


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原作者: 灏天文库
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