5.4.2 基于模型的OPC（Model-based）
文档摘要
5.4.2 基于模型的OPC（Model-based） 在光刻工艺的精密世界里，掩模版上的图形从来不是“所见即所得”——它更像是一封需要解码的密信。当193nm浸没式光刻将线宽推进到28nm以下，当EUV在13.5nm波长下艰难托起7nm节点的量产重担，我们终于不得不承认：光学系统本身已成为最顽固的非线性滤波器。衍射、驻波、光刻胶显影阈值、掩模三维效应……这些物理现象不再只是教科书里的旁注，而是每一张掩模版上必须被主动驯服的幽灵。而基于模型的光学邻近效应修正（Model-based OPC），正是我们为这场人与物理定律的博弈所锻造出的最锋利的算法之刃。 这不是简单的“加粗拐角”或“拉伸端头”；
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