7.2 源掩模联合优化（SMO）

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7.2 源掩模联合优化（SMO）第七章：计算光刻与建模 7.2 源掩模联合优化（SMO）：在衍射极限边缘重构光的意志当光学光刻迈入193 nm浸没式时代，再向13.5 nm极紫外（EUV）艰难过渡时，一个根本性问题日益尖锐：我们不再是在“制造更小的图形”，而是在“重建光与物质相互作用的因果秩序”。传统光刻中，光源、掩模、投影物镜与光刻胶被视作彼此解耦的独立模块——光源由曝光机厂商固化为环形或偶极形；掩模由版图工程师依据设计规则进行OPC修正；物镜则被当作一个黑箱化的、仅需满足波像差容忍度的成像通道。这种割裂的工程范式，在特征尺寸逼近照明波长一半（即 $k1 < 0.25$）的临界区域，已然崩塌。