1.1.1.2 晶面与晶向（米勒指数）对器件性能的影响

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1.1.1.2 晶面与晶向（米勒指数）对器件性能的影响 1.1.1.2 晶面与晶向（米勒指数）对器件性能的影响：一个被忽略的漏电流放大器——SiC MOSFET沟道迁移率塌缩的根源与现场级修复方案你有没有在调试一颗标称650 V/40 A的SiC MOSFET时，遭遇过这样的“幽灵故障”？ ——静态参数全部合格：阈值电压 $V{th} = 3.8\,\text{V}$，导通电阻 $R{DS(on)}$ 在25°C下实测为18.2 mΩ（优于规格书19.5 mΩ），栅极电荷 $Qg$ 也落在典型区间；可一旦上电带载，结温升至120°C，器件在连续PWM工作15分钟后，$R{DS(on)}$ 突然跳变至24.