1.2.1.3 电中性条件与补偿半导体

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1.2.1.3 电中性条件与补偿半导体 1.2.1.3 电中性条件与补偿半导体：一个被反复踩坑的“隐式假设”——如何用三行Python代码揪出掺杂误判的根源你有没有在仿真GaAs基HEMT器件时，发现阈值电压漂移了0.8 V，而所有工艺参数都“确认无误”？有没有在调试SiC肖特基二极管漏电流时，发现室温下$J{\text{leak}}$比理论预测高两个数量级，反复修改表面态密度却始终无法收敛？有没有在写博士论文第三章时，对着$n0 = ND - NA$这个公式发呆整整两小时，突然意识到——它根本不能直接套用于重补偿区的4H-SiC外延层？这不是计算精度的问题。不是数值方法的问题。甚至不是材料参数不准的问题。