1.2.2.3 强场效应：速度饱和与碰撞电离

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1.2.2.3 强场效应：速度饱和与碰撞电离 1.2.2.3 强场效应：速度饱和与碰撞电离——一个被漏掉的$10^{-15}$秒，如何让仿真结果从“看起来合理”滑向“彻底失效” 凌晨两点十七分，Fab 12B的TCAD工程师老陈第三次点击“Run Simulation”，盯着屏幕上那条在$V{DS}=1.8\,\text{V}$处突然塌陷的$I{DS}$–$V{DS}$输出曲线，手指悬在键盘上方，迟迟没有敲下Ctrl+C。这不是收敛失败，不是网格畸变，也不是材料参数输错——所有检查项都绿了。可实测芯片在相同偏置下电流稳定在$142\,\mu\text{A}$，而Sentaurus Device给出的结果是$89\,\mu\text{A}$，误差达37.6%。