2.1.1.1 内建电场与接触电势差

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2.1.1.1 内建电场与接触电势差 2.1.1.1 内建电场与接触电势差：当仿真结果与实测V bi 偏差320mV时，我拆开了那颗失效的SiC肖特基二极管凌晨两点十七分，晶圆厂FAB2的AOI自动光学检测系统第三次标红同一片6英寸SiC外延片上的边缘结区——不是漏电，不是击穿，而是反向恢复时间（t rr ）离散度高达±47%。工艺组连夜调出CV测试曲线，发现所有异常芯片的耗尽层宽度W d 在零偏压下比设计值窄了18.3%，而更刺眼的是：室温下测得的接触电势差V bi 为2.89 V，比TCAD仿真预测的3.21 V低了整整320 mV。这不是误差。这是警告。