2.1.1.2 空间电荷区（耗尽区）物理模型

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2.1.1.2 空间电荷区（耗尽区）物理模型 2.1.1.2 空间电荷区（耗尽区）物理模型：一个被低估的“静电陷阱”——如何用泊松-能带自洽迭代法，在硅基PN结仿真中精准捕获耗尽层边缘的载流子突变？你有没有在TCAD仿真中，反复调整掺杂浓度、温度、偏压参数后，发现IV曲线在零偏附近始终“发胖”——反向漏电流比实测高12个数量级？或者正向开启电压比理论值滞后3050 mV，且随温度升高愈发失真？更隐蔽的是：当你把器件缩放到亚微米尺度，耗尽区宽度计算值与SRIM模拟的离子注入分布峰值严重错位，导致后续氧化层应力建模全线崩塌？这些不是模型“不够高级”的问题。