2.1.2.2 产生-复合电流与大注入效应

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2.1.2.2 产生-复合电流与大注入效应当PN结在大注入下“失语”：一个被忽略的复合电流陷阱与三步定位法你有没有遇到过这样的场景？某天凌晨两点，实验室里那台刚流片回来的高压SiC肖特基-IGBT混合器件，在150℃高温老化后，正向导通压降 $VF$ 突然漂移了180 mV——不是缓慢退化，而是阶梯式跳变；示波器上测得的关断尾电流拖尾时间延长了3.7倍；更诡异的是，同一晶圆上相邻两颗芯片，$IC$-$V{CE}$ 曲线在 $IC > 4\,\text{A}$ 区域竟出现不可重复的“振荡状离散点”。 FA工程师第一反应是键合线虚焊、钝化层针孔或栅氧击穿。可X-ray无异常，EMMI未见热点，CV测试栅电容稳定如初。