2.2.2.1 隧道效应与高掺杂机制

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2.2.2.1 隧道效应与高掺杂机制 2.2.2.1 隧道效应与高掺杂机制：当欧姆接触“卡在0.3 eV”——一个硅基p型源极TiN/Si接触的掺杂梯度破局实录凌晨两点十七分，Fab 7B洁净室第三层光刻间外的监控屏上，一组晶圆的接触电阻（$R{\text{c}}$）数据正以每秒刷新一次的频率跳动着： 1.82 Ω·mm → 1.79 Ω·mm → 1.85 Ω·mm → …… 1.83 Ω·mm。这串数字看似稳定，却像一根绷紧的琴弦——它离工艺规格书里白纸黑字写的“≤ 0.85 Ω·mm（@ 25℃）”差了整整两倍有余。更刺眼的是，同一炉次中，n型器件的TiN/Si接触早已稳定在0.41 Ω·mm，而p型那组，始终在1.8±0.05区间内“原地踏步”。