2.2.3.1 能带偏移（Band Offset）与安德森模型

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2.2.3.1 能带偏移（Band Offset）与安德森模型 2.2.3.1 能带偏移（Band Offset）与安德森模型：工程师手记——当理论预测撞上界面态陷阱，我们如何用第一性原理校准ΔEC的0.1 eV生死线？你有没有在凌晨三点盯着TCAD仿真结果发呆？那张看似完美的能带图里，电子从GaAs注入AlGaAs的势垒高度明明按安德森模型算出来是0.32 eV，可实测I-V曲线却在0.25 V就出现异常隧穿电流；器件跨导比预期低40%，低温下漏电陡增一个数量级； XPS测得的价带偏移ΔEV是0.28±0.03 eV，而DFT计算给出0.41 eV——差值不是误差，是失效的伏笔。这不是教科书里的理想异质结。