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4.3 短沟道效应（SCE）与可靠性 第四章：MOS场效应晶体管（MOSFET）核心物理 4.3 短沟道效应（SCE）与可靠性：当栅极失去主权，沟道开始低语 在摩尔定律的黄金年代，晶体管尺寸的持续微缩曾被视作半导体工业不可逆的宿命。然而，当沟道长度从微米滑向亚百纳米，再跌入如今的几纳米区间——我们并未迎来更锋利的开关，反而撞上了一堵由物理本性筑起的高墙：短沟道效应（Short-Channel Effects, SCE）。 会员。《4.3 短沟道效应（SCE）与可靠性》收录于灏天文库文集《半导体器件物理》，提供技术教程、实践指南与问题解决方案，支持在线阅读、全文检索与知识沉淀，助力开发者系统化学习。文档编号62842。

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