5.1 从平面到三维：FinFET 与 GAA

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5.1 从平面到三维：FinFET 与 GAA 第五章：现代先进器件架构 5.1 从平面到三维：FinFET 与 GAA——一场由静电控制失守引发的结构革命当摩尔定律的钟摆第一次在22 nm节点发出微弱却不可忽视的“咔哒”声，那不是工艺微缩的凯歌，而是一记来自物理世界的警钟：传统平面MOSFET的栅极，已无力再握住沟道中日益躁动的载流子。漏电流如细沙般从关断态悄然渗出，亚阈值摆幅（SS）悄然滑向70 mV/dec的理论极限之外，短沟道效应（SCE）不再是教科书里的抽象名词，而是晶圆厂里工程师彻夜调试时示波器上跳动的、令人窒息的噪声。