5.1.1 多栅极结构对静电控制能力的提升

文档摘要

5.1.1 多栅极结构对静电控制能力的提升在半导体器件微缩的漫漫长路上，我们曾一次次叩问物理极限：当沟道长度逼近10纳米，传统平面MOSFET那单薄的“侧门”——仅靠顶部栅极调控的二维静电控制，是否还能稳住载流子的潮汐？答案是否定的。2012年Intel在22 nm节点率先量产FinFET，不是一次工艺改良，而是一场三维静电控制范式的迁徙。它把沟道从一张纸，立成一道脊——一道被栅极三面包裹的硅鳍（Fin）；而到了3 nm及以下，台积电、三星与英特尔又不约而同将鳍“拧转”为纳米线、纳米片，让栅极真正实现全向包裹（Gate-All-Around, GAA）。这背后最核心的驱动力，不是为了炫技，而是为了一个极其朴素却致命的问题：如何在亚5 nm尺度下，让沟道电势真正听命于栅压？